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si4-g型软性超薄压力传感器是苏州能斯达公司融合了纳米敏感材料和先进印刷制程，采用自主独立知识产权最新开发并可以满足客户需求的标准型压力传感器。
si4-g型传感器由机械性能优异的超薄膜、优异导电材料和纳米压力敏感层组成。当传感器感知到外界压力时，传感器电导率发生变化，外界压力越大传感器电导率就越高。即传感器零负载时为高阻值显示，当传感器感知外界压力后，阻值会相应变化，力度越大阻值越小。采用简单的电路即可将这种电导率的变化转化为与外界压力相匹配的输出电信号。
力敏特性
| 压力/g | 10 | 20 | 30 | 50 | 70 | 100 | 150 | 200 |
| 阻值/kω | 51 | 20 | 16 | 11.4 | 8.4 | 5.9 | 4 | 2.9 |
电子笔专用
注意事项
传感器使用时尽量使所受负载均匀，避免尖锐物体直接接触传感器。
超量程太多使用将会降低传感器性能甚至破坏传感器。
力敏特性曲线仅供参考。
参考电路图
说明：
1.该电路的增益倍数，根据实际应用来调整电阻r9
2.匹配电阻r5选取尽量和传感器的初始阻值接近
| 性能 | 参数 |
| 量程 | 0-200g |
| 厚度 | < 0.3mm |
| 外观尺寸 | 见尺寸表 |
| 响应点 | < 10g |
| 重复性 | <±2.7%(50%负载) |
| 精度 | ±2.5% |
| 耐久性 | ＞100万次 |
| 初始电阻 | ＞10mω(无负载) |
| 响应时间 | < 1ms |
| 恢复时间 | < 15ms |
| 测试电压 | 典型值 dc 3.3v |
| 工作温度 | -20°c - 60°c |
| 电磁干扰emi | 不产生 |
| 静电释放eds | 不敏感 |
